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在半導體技術飛速迭代的當下，第三代半導體器件（SiC/GaN）以其出眾的高頻、高效特性，正廣泛應用于新能源、電力電子等關鍵領域。而可靠、高效的動態參數測試，是保障器件性能驗證、驅動設計優化、產品質量把
當前功率半導體產業面臨半導體測試設備依賴進口、寬量程參數測量精度不足、第三代半導體器件適配性差等核心痛點，尤其在SiC、GaN等寬禁帶半導體器件測試中，高頻特性捕捉、高壓大電流工況下的精準測量成為制約
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周 （網絡推廣）